Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ISC0804NLSATMA1
TRENCH >=100V PG-TDSON-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISC0804
ISC0804NLSATMA1 Hakkında
ISC0804NLSATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj ile tasarlanmış olan bu komponent, 12A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. Düşük gate charge (24 nC @ 10V) ve minimal RDS(on) değeri (10.9mOhm @ 20A, 10V) ile karakterize edilir. PG-TDSON-8 surface mount paketinde sunulan ISC0804, güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC konverterler ve anahtar uygulamaları gibi endüstriyel kontrol devreleri için uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilmesi geniş sıcaklık aralığında kullanımını mümkün kılar. 2.5W (Ta) / 60W (Tc) güç dağıtım kapasitesi ile verimli ısı yönetimi sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta), 59A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.9mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 28µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok