Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ISC0802NLSATMA1
TRENCH >=100V PG-TDSON-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISC0802NLS
ISC0802NLSATMA1 Hakkında
ISC0802NLSATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ile 22A sürekli drain akımı sağlayan bu bileşen, Trench teknolojisi kullanılarak üretilmiştir. 3.6mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalar için uygundur. PG-TDSON-8 paketinde sunulan transistör, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, 125W güç dağıtma kapasitesine sahiptir ve endüstriyel ile otomotiv uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Ta), 150A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 73 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5190 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 92µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok