Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

ISC0703NLSATMA1

TRENCH 40<-<100V PG-TDSON-8

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
ISC0703NLSATMA1

ISC0703NLSATMA1 Hakkında

ISC0703NLSATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source voltaj derecelendirmesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 13A sürekli dren akımı (Ta) ve 57A (Tc) kapasitesine sahiptir. Düşük on-state direnci (6.9mOhm @ 32A, 10V) ile verimli anahtarlama sağlar. PG-TDSON-8 SMD paketinde gelmekte olup, -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. DC-DC konvertörleri, motor kontrolü, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 3W (Ta) / 44W (Tc) güç disipasyon kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Ta), 57A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 44W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.9mOhm @ 32A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 15µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok