Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ISC0702NLSATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TDSON-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISC0702NL
ISC0702NLSATMA1 Hakkında
ISC0702NLSATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 23A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Trench teknolojisi ile üretilen bu komponent, 2.8mΩ maksimum on-direnç (Rds On) değeri sayesinde düşük enerji kaybı sağlar. PG-TDSON-8 yüzey montaj paketinde sunulan cihaz, -55°C ile +175°C arası sıcaklık aralığında çalışır. DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. ±20V gate gerilimi ve 56nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A (Ta), 135A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3500 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 38µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok