Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ISC060N10NM6ATMA1
TRENCH >=100V PG-TDSON-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISC060N10NM6ATMA1
ISC060N10NM6ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen ISC060N10NM6ATMA1, 100V drain-source voltajında çalışan N-Channel Trench MOSFET transistörüdür. 15A sürekli drenaj akımı kapasitesi (Ta 25°C) ve 6mΩ maksimum RDS(on) değeri ile güç uygulamalarında kullanılır. PG-TDSON-8 yüzey montaj paketinde sunulan komponent, 3W (Ta) ile 125W (Tc) arasında güç dağıtabilir. -55°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. Motor sürücüleri, güç yönetimi, anahtarlama devreleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 33nC gate charge ve 2500pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Ta), 97A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2500 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8 FL |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.3V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok