Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ISC0603NLSATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TDSON-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISC0603NLSAT
ISC0603NLSATMA1 Hakkında
ISC0603NLSATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source voltajı ve 12.3A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlaması uygulamalarında kullanılır. 8.9mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Surface mount PG-TDSON-8 paketinde sunulan bu transistör, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, şarj yönetimi ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 52W güç dağıtma kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12.3A (Ta), 56A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.9mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 24µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok