Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ISC0602NLSATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TDSON-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISC0602NL
ISC0602NLSATMA1 Hakkında
ISC0602NLSATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source voltaj derecelendirilmesine ve 14A sürekli drenaj akımına (Ta=25°C) sahiptir. Trench teknolojisi kullanılarak tasarlanan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (7.3mΩ @ 20A, 10V) sayesinde minimal güç kaybı sağlar. 8-pin PowerTDFN paketi ile yüksek yoğunluklu uygulamalara uygun kompakt bir çözüm sunar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. Anahtarlama güç kaynakları, motor kontrolü, LED sürücüleri ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak kullanılır. ±20V maksimum gate-source voltajı ve 22nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özellikleri ile dikkat çeker.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Ta), 66A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.3mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 29µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok