Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

ISC058N04NM5ATMA1

40V 5.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
ISC058N04NM5ATMA1

ISC058N04NM5ATMA1 Hakkında

ISC058N04NM5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 40V OPTIMOS N-Channel MOSFET'tir. SuperSO8 paketinde sunulan bu transistör, 17A (Ta) / 63A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 5.8mΩ on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. Gate charge değeri 16nC olup, hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrolü, LED sürücüleri ve DC/DC konvertörleri gibi uygulamalarda kullanılır. Yüksek sıcaklık ortamlarında 42W güç dağıtabilmesi onu endüstriyel uygulamalar için uygun kılar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Ta), 63A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 31A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8 FL
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.4V @ 13µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok