Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

ISC046N04NM5ATMA1

40V 4.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
ISC046N04NM5ATMA1

ISC046N04NM5ATMA1 Hakkında

ISC046N04NM5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 40V N-Channel MOSFET transistörüdür. OPTIMOS SUPERSO8 serisi içinde yer alan bu bileşen, 4.6mΩ düşük on-resistance değeri ve 19A sürekli dren akımı (Ta) / 77A (Tc) ile karakterize edilir. 8-PowerTDFN paketinde sunulan bu transistör, güç yönetimi uygulamalarında, DC-DC konvertörlerde, motor sürücülerinde ve güç dağıtım sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. ±20V gate voltage toleransı ve 21nC gate charge değeri hızlı anahtarlama işlemleri için uygunluk sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilen bu bileşen, maksimum 50W güç dağıtımı kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A (Ta), 77A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6mOhm @ 35A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8 FL
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.4V @ 17µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok