Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ISC045N03L5SATMA1
MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISC045N03L5
ISC045N03L5SATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen ISC045N03L5SATMA1, 30V drain-source gerilim ile tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 18A sürekli akım (Ta=25°C) ve 63A sürekli akım (Tc=25°C) kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 4.5mΩ maksimum on-direnci (Rds On) düşük ısı kaybı sağlar. Surface mount 8-PowerTDFN paketi ile kompakt devre tasarımlarına uygun olup, anahtarlama güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve yük anahtarlaması gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arası sıcaklıkta çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Ta), 63A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 870 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok