Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

ISC037N03L5ISATMA1

MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
ISC037N03L5

ISC037N03L5ISATMA1 Hakkında

ISC037N03L5ISATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ile 20A sürekli (Ta) ve 78A (Tc) akım kapasitesine sahiptir. 3.7mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük direnç karakteristiği sunar. PowerTDFN-8 paketinde sunulan bu bileşen, 4.5V-10V gate sürüş geriliminde çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olup, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. Düşük gate yükü (17nC @ 10V) sayesinde hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Ta), 78A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok