Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

ISC036N04NM5ATMA1

40V 3.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
ISC036N04NM5ATMA1

ISC036N04NM5ATMA1 Hakkında

ISC036N04NM5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 40V N-Channel MOSFET transistördür. OPTIMOS serisi SuperSO8 pakette sunulan bu bileşen, 21A sürekli drenaj akımı (Ta @25°C) ve 3.6mΩ maksimum açık durum direncine sahiptir. Gate şarj kapasitesi 28nC olup, maksimum gate voltajı ±20V'dir. Surface mount montajı için uygun olan ISC036N04NM5ATMA1, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) sayesinde endüstriyel ortamlarda güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Ta), 98A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6mOhm @ 49A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8 FL
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.4V @ 23µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok