Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ISC030N10NM6ATMA1
TRENCH >=100V PG-TDSON-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISC030N10NM6
ISC030N10NM6ATMA1 Hakkında
ISC030N10NM6ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltajında 21A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 3mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface mount PG-TDSON-8 paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve güç yönetimi sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Ta), 179A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 69 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5200 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 208W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8 FL |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.3V @ 109µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok