Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ISC028N04NM5ATMA1
40V 2.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISC028N04NM5ATMA1
ISC028N04NM5ATMA1 Hakkında
ISC028N04NM5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 40V N-Channel MOSFET transistörüdür. OPTIMOS teknolojisine dayalı bu bileşen, SuperSO8 paketinde sunulmaktadır. 24A sürekli drenaj akımı (Ta) ve 2.8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 175°C) çalışabilir. DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi uygulamaları, motor sürücüleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 8-PowerTDFN paket tipi, yüksek ısıl performans ve kompakt tasarım sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Ta), 121A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2700 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8 FL |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.4V @ 30µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok