Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ISC027N10NM6ATMA1
TRENCH >=100V PG-TDSON-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISC027N10NM6ATMA1
ISC027N10NM6ATMA1 Hakkında
ISC027N10NM6ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim derecesi ile güç elektronik uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 23A sürekli drain akımı kapasitesi ve 2.7mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Trench teknolojisi kullanılarak düşük kapasitans ve hızlı anahtarlama özelliği elde edilmiştir. PG-TDSON-8 yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, AC-DC konvertörleri, DC-DC güç kaynakları, motor sürücüleri ve endüstriyel güç kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A (Ta), 192A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5500 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 217W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8 FL |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.3V @ 116µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok