Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ISC022N10NM6ATMA1
TRENCH >=100V PG-TSON-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISC022N10NM6
ISC022N10NM6ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen ISC022N10NM6ATMA1, 100V drain-source gerilimi ve 25A sürekli akım kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistörüdür. Trench teknolojisiyle üretilen bu bileşen, düşük on-resistance (2.24mΩ @ 50A, 10V) özellikleriyle güç yönetimi uygulamalarında verimli çalışır. PG-TSON-8 yüzey montaj paketinde sunulan transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Güç kaynakları, motor kontrol, LED sürücüler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. ±20V gate gerilim toleransı ve 91nC gate charge değerleri hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Ta), 230A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 91 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6880 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 254W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.24mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSON-8-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.3V @ 147µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok