Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ISC019N04NM5ATMA1
40V 1.9M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISC019N04NM5ATMA1
ISC019N04NM5ATMA1 Hakkında
ISC019N04NM5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 40V N-Channel MOSFET transistörüdür. OPTIMOS teknolojisine dayanan bu komponent, 1.9mΩ düşük on-direnç (Rds On) ile yüksek akım yönetimi sağlar. 29A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. SuperSO8 (PG-TDSON-8) yüzey montajlı paketlemesi ile kompakt PCB tasarımlarına uyumludur. Otomotiv, endüstriyel sürücü, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 55nC gate charge ve düşük input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama ve enerji verimli çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 29A (Ta), 170A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3900 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8 FL |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.4V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok