Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ISC019N03L5SATMA1
MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISC019N03L5
ISC019N03L5SATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen ISC019N03L5SATMA1, 30V drain-source voltajında çalışan N-Channel MOSFET transistördür. Sürekli drenaj akımı 28A (Ta) / 100A (Tc) olup, 1.9mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 8-PowerTDFN paket tipinde sunulan bileşen, güç yönetimi, motor kontrol, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma sunar ve 2.5W (Ta) / 69W (Tc) güç tüketim kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2800 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-5 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok