Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ISC017N04NM5ATMA1
MOSFET N-CH 40V 193A TDSON-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISC017N04NM5ATMA1
ISC017N04NM5ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen ISC017N04NM5ATMA1, 40V drain-source voltaj ile çalışan N-Channel power MOSFET'tir. 193A sürekli dren akımı kapasitesi ve 1.7mΩ maksimum RDS(On) direnci ile düşük kayıp uygulamalarda kullanılır. TDSON-8 paketli bu transistör, güç dönüştürme devreleri, motor kontrolü, LED sürücüleri ve enerji yönetimi sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 115W'a kadar güç atabilir. Çip sıcaklığında 193A akım kapasitesi sayesinde yüksek akım uygulamalarında iyi performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31A (Ta), 193A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 67 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4800 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 115W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8 FL |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.4V @ 60µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok