Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ISC015N04NM5ATMA1
40V 1.5M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISC015N04NM5ATMA1
ISC015N04NM5ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies ISC015N04NM5ATMA1, 40V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ile çalışan bir N-Channel MOSFET transistördür. 33A sürekli drenaj akımı (Ta) ve 206A maksimum akımı (Tc) ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 1.5mΩ düşük RDS(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. SuperSO8 (8-PowerTDFN) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve yük anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. 115W maximum güç tüketimi (Tc) ve ±20V gate gerilimi kapasitesi ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33A (Ta), 206A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 67 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4800 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 115W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8 FL |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.4V @ 60µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok