Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ISC012N04NM6ATMA1
TRENCH <= 40V PG-TDSON-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISC012N04NM6ATMA1
ISC012N04NM6ATMA1 Hakkında
ISC012N04NM6ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 40V N-Channel MOSFET transistördür. Trench teknolojisi kullanılarak tasarlanan bu bileşen, 36A sürekli dren akımı (Ta) kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 1.2mΩ maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. PG-TDSON-8 yüzey monte paketinde sunulan transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve güç yönetim sistemlerinde uygulanır. 64nC gate charge ve 4600pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama işlemlerini destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 36A (Ta), 232A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4600 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8 FL |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 747µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok