Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ISC011N06LM5ATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TDSON-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISC011N06LM5ATMA1
ISC011N06LM5ATMA1 Hakkında
ISC011N06LM5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 60V N-Channel MOSFET transistördür. Trench teknolojisi ile tasarlanmış bu bileşen, güç uygulamalarında anahtarlama işlevini yerine getirir. 37A sürekli drenaj akımı kapasitesi (Ta @ 25°C) ve 1.15mΩ düşük RDS(on) değeri ile verimli enerji dönüşümü sağlar. PG-TDSON-8 yüzey montajlı paketinde sunulan bileşen, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 37A (Ta), 288A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11000 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 188W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.15mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-17 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 116µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok