Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ISC010N06NM5ATMA1
OPTIMOS5 60 V POWER MOSFET IN SU
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISC010N06NM5ATMA1
ISC010N06NM5ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen ISC010N06NM5ATMA1, OPTIMOS5 serisi 60V güç MOSFET'idir. N-channel yapısıyla tasarlanan bu transistör, 39A sürekli drenaj akımı (Ta=25°C) ve 214W güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. 1.05mΩ maksimum RDS(on) direnci ile düşük kayıplı uygulamalara uygundur. Gate şarjı 143nC ve düşük giriş kapasitansi (11000pF @ 30V) sayesinde hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile +175°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir operasyon sunar. 8-pin PowerTDFN yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için idealdir. DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri, güç yönetimi ve elektriksel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 39A (Ta), 330A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 143 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11000 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 214W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSON-8-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.3V @ 147µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok