Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ISC010N04NM6ATMA1
TRENCH <= 40V
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISC010N04NM6ATMA1
ISC010N04NM6ATMA1 Hakkında
ISC010N04NM6ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 40V N-Channel MOSFET transistörüdür. Trench teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, 40A sürekli drenaj akımı kapasitesine ve 1mΩ (10V gate geriliminde, 50A akımda) düşük on-dirençine sahiptir. 8-PowerTDFN yüzey monte paketi içerisinde sunulan transistör, endüstriyel uygulamalar, motor kontrol devreleri, güç yönetimi sistemleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışır ve maksimum 150W güç yayımı kapasitesine sahiptir. Gate eşik gerilimi 2.8V'dur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Ta), 285A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 83 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6000 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8 FL |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 747µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok