Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
ISC009N06LM5ATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TSON-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ISC009N06LM5
ISC009N06LM5ATMA1 Hakkında
ISC009N06LM5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Trench MOSFET'tir. 60V drain-source gerilimi ve 41A sürekli dren akımı ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 0.9mOhm (10V, 50A şartlarında) ile karakterize edilen düşük on-resistance değeri, anahtarlama uygulamalarında enerji kaybını minimize eder. PG-TSON-8 yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlara uygun olup, -55°C ile 175°C arasında işletim sıcaklığı aralığında çalışır. Güç elektronikleri, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve ağır akım anahtarlama devreleri gibi endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. 209nC kapı yükü (Qg) ve 13nF giriş kapasitansı (Ciss) hızlı anahtarlama özelliğini destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 41A (Ta), 348A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 209 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13000 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 214W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.9mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TSON-8-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 147µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok