Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRLZ34NS

MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRLZ34NS

IRLZ34NS Hakkında

IRLZ34NS, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilim (Vdss) ile 30A sürekli dren akımı sağlayan bir güç anahtarlama bileşenidir. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, 10V gate geriliminde 35mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Gate şarj (Qg) 25nC ve giriş kapasitansi 880pF olarak belirtilmiştir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen IRLZ34NS, endüstriyel uygulamalar, motor kontrol, güç kaynakları ve DC/DC konverterler gibi anahtarlama devrelerinde kullanılır. Düşük RDS(on) değeri ısıl kaybı minimize eder. Bileşen üretim sona ermiş (obsolete) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 880 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 16A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok