Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRLZ24NSPBF
MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRLZ24NS
IRLZ24NSPBF Hakkında
IRLZ24NSPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 55V drain-source gerilim kapasitesiyle 18A sürekli dren akımı sağlayabilen bu bileşen, düşük gate charge (15nC @ 5V) ve optimized RDS(on) değerleriyle (60mOhm @ 10V) tasarlanmıştır. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketi ile sağlanan bu transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Motor kontrolleri, anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve endüstriyel elektronik sistemlerinde kullanılan bu MOSFET, ±16V maksimum gate-source gerilimi ile geniş kontrol aralığı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 480 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok