Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRLW610ATM
MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRLW610A
IRLW610ATM Hakkında
IRLW610ATM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 3.3A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulmaktadır. 5V gate sürücü geriliminde 1.5Ω maksimum on-direnci ile karakterize edilen bu transistör, güç kontrolü, anahtarlama ve doğrultucu uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında ve 33W ısıl disipasyon kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektroniği devrelerinde uygulanır. Through-hole montaj tipi ile PCB tasarımında doğrudan lehimleme imkanı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 240 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 33W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 1.65A, 5V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok