Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRLW510ATM
MOSFET N-CH 100V 5.6A I2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRLW510A
IRLW510ATM Hakkında
IRLW510ATM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltajında 5.6A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olup, TO-262 (I²Pak) paketinde sunulmaktadır. 5V gate sürücü voltajında 440mΩ on-resistance değerine ulaşır. Geniş -55°C ~ 175°C çalışma sıcaklık aralığı ile güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları ve motor kontrol devreleri başta olmak üzere endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanıma uygundur. Düşük gate charge (8nC) ve input capacitance (235pF) özellikleri ile hızlı anahtarlama işlemleri sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 235 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 37W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 440mOhm @ 2.8A, 5V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok