Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRLU8259PBF

MOSFET N-CH 25V 57A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
IRLU8259

IRLU8259PBF Hakkında

IRLU8259PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 25V drain-source gerilimi ve 57A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, 8.7mOhm (10V, 21A) On-State direncine sahiptir. -55°C ile +175°C arası sıcaklık aralığında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç dönüştürücüler ve DC-DC regülatörlerde tercih edilir. 10nC gate charge ve düşük Rds(on) değeri ile hızlı komütasyon ve düşük güç kaybı sağlar. Maksimum ±20V gate-source gerilimi tolerans gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 57A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 13 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.7mOhm @ 21A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok