Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRLU8256PBF

MOSFET N-CH 25V 81A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
IRLU8256

IRLU8256PBF Hakkında

IRLU8256PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 25V drain-source gerilimi ve 81A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri gerçekleştirmek için tasarlanmıştır. 5.7mOhm düşük on-direnç değeri, ısıl disipasyonu minimize ederek verimli çalışma sağlar. TO-251 (IPAK) paket tipi ile kompakt PCB tasarımlarına uyum sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, güç yönetimi devreleri, motor kontrol üniteleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. Gate threshold voltajı 2.35V olup, 4.5V ve 10V sürüş gerilimlerinde optimize edilmiştir. Obsolete durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 81A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1470 pF @ 13 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok