Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRLU8203PBF

MOSFET N-CH 30V 110A I-PAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
IRLU8203

IRLU8203PBF Hakkında

IRLU8203PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source gerilim ve 110A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-251-3 (I-PAK) paketinde sunulan bu bileşen, 6.8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalara uygundur. Motor kontrol devreleri, anahtarlama güç kaynakları (SMPS), DC-DC konvertörler ve batarya yönetim sistemleri gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı ve 140W güç tahlif kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektroniği ürünlerinde etkin çözüm sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 110A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2430 pF @ 15 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.8mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok