Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRLU3915PBF
IRLU3915 - HEXFET POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRLU3915
IRLU3915PBF Hakkında
IRLU3915PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET transistörüdür. 55V drain-source voltaj ve 30A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 5V ve 10V sürüş voltajlarında 14mOhm maksimum RDS(on) direnci ile verimli anahtarlama sağlar. TO-251 (IPak) paketlemesi ile montaj kolaylığı sunar. -55°C ile 175°C arasında çalışır ve 120W maksimum güç dağılımı yapabilir. DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, elektrik aletleri ve endüstriyel güç uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 92 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1870 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 120W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | IPAK (TO-251) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok