Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRLU3802PBF

HEXFET POWER MOSFET

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
IRLU3802

IRLU3802PBF Hakkında

IRLU3802PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET transistörüdür. 12V drain-source gerilimi ve 84A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 8.5mΩ maksimum on-dirençi (Rds On) düşük güç kaybı sağlar. Gate yükü 41nC olup hızlı anahtarlama özellikleri vardır. -55°C ile +175°C arasında çalışan bu bileşen, motor kontrolü, güç dönüştürücüleri, anahtarlamalı güç kaynakları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde uygulanır. TO-251-3 (I-PAK) paketinde sunulur ve through-hole montajı destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 84A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.8V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2490 pF @ 6 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 15A, 4.5V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.9V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok