Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRLU2905ZPBF

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
IRLU2905Z

IRLU2905ZPBF Hakkında

IRLU2905ZPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 55V drain-source voltaj ve 42A sürekli drain akım kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. Maksimum 13.5mΩ on-resistance değeri ile düşük kayıp sağlayan bu bileşen, motor kontrol, güç kaynakları, inverter devreleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. TO-251 (IPak) paket tipi ile PCB'ye dikey montaj yapılabilen transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 42A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1570 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5mOhm @ 36A, 10V
Supplier Device Package IPAK (TO-251)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok