Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRLS640A

MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220F

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IRLS640A

IRLS640A Hakkında

IRLS640A, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilimi ve 9.8A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 5V gate sürücü geriliminde 180mOhm on-resistance değeri ile güç kaybını minimize eder. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç yönetimi ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir ve 40W maksimum güç tüketimi destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1705 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 4.9A, 5V
Supplier Device Package TO-220F-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok