Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRLS620A

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IRLS620A

IRLS620A Hakkında

IRLS620A, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 200V Drain-Source gerilimi, 4.1A sürekli dren akımı ve 800mOhm (5V, 2.05A) kapalı durum direnci ile çalışır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 5V sinyal voltajıyla kontrol edilebilir ve -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. 26W maksimum güç tüketimine ve 430pF giriş kapasitansına (25V) sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetim sistemlerinde kullanılır. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan lehimleme yapılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 430 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 26W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 2.05A, 5V
Supplier Device Package TO-220F
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok