Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRLS4030PBF
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRLS4030
IRLS4030PBF Hakkında
IRLS4030PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj kapasitesi ve 180A sürekli drain akımı ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) paket tipi ile yüksek güç dissipasyonu gerektiren devrelerde montajlanabilir. Motor kontrolleri, güç kaynakları, DC-DC konvertörleri ve ağır akım anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Maximum 4.3mΩ RDS(on) direnci düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11360 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 370W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3mOhm @ 110A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok