Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRLS4030-7PPBF

MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-8
Seri / Aile Numarası
IRLS4030

IRLS4030-7PPBF Hakkında

IRLS4030-7PPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj ve 190A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. D2PAK (TO-263-7) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-direnç (3.9mOhm @ 110A, 10V) ile verimli güç iletimini sağlar. Surface mount teknolojisi sayesinde yoğun PCB tasarımlarına uygun, kompakt bir form faktörü sunmaktadır. 370W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında, motor sürücüleri, güç kaynakları ve anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur. Bileşen, Digi-Key'de üretimi durdurulmuştur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 190A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11490 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 370W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 110A, 10V
Supplier Device Package D2PAK (7-Lead)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok