Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRLS3813PBF
MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRLS3813
IRLS3813PBF Hakkında
IRLS3813PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 160A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketine sahip olup, 1.95mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Gate şarj miktarı 83nC, giriş kapasitansi 8020pF'dir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve hızlı anahtarlamayı gerektiren endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. Maksimum 195W güç yayılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 160A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 83 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8020 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 195W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.95mOhm @ 148A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok