Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRLS3813PBF

MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRLS3813

IRLS3813PBF Hakkında

IRLS3813PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 160A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç elektronik uygulamalarında kullanılır. D²Pak (TO-263-3) yüzeye montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük 1.95mΩ @ 10V gate geriliminde RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama işlemi gerçekleştirir. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığında stabil performans sağlar. DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri, güç yönetim sistemleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 160A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 83 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8020 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 195W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.95mOhm @ 148A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 150µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok