Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRLS3036PBF
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRLS3036
IRLS3036PBF Hakkında
IRLS3036PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 195A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 2.4mOhm (10V, 165A'de) düşük on-state direnci ile verimli anahtarlama performansı sağlar. TO-263-3 (D²Pak) paketindedir ve -55°C ile 175°C arasında çalışmaya uyygundur. Motor kontrolü, güç yönetimi, anahtarma güç kaynakları ve ağır akım uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Maksimum gate-source gerilimi ±16V'dur ve gate charge değeri 4.5V'de 140nC'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 195A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11210 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 380W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 165A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok