Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRLS3036-7PPBF

IRLS3036 - HEXFET POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-263-8
Seri / Aile Numarası
IRLS3036

IRLS3036-7PPBF Hakkında

IRLS3036-7PPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET'tir. 60V drain-source gerilimi ve 240A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. Maksimum 1.9mΩ on-resistance değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-263-7 (D²Pak) Surface Mount paketinde sunulan bu transistör, motor kontrol, güç kaynakları, invertörler ve diğer yüksek akım anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu bileşen, 380W'a kadar güç yayabilme yeteneğine sahiptir. 10V gate sürücü geriliminde optimize edilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 240A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 160 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11270 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 380W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9mOhm @ 180A, 10V
Supplier Device Package D2PAK (7-Lead)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok