Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRLS3034-7PPBF

HEXFET POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-263-8
Seri / Aile Numarası
IRLS3034

IRLS3034-7PPBF Hakkında

IRLS3034-7PPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen HEXFET Power MOSFET'tir. N-Channel konfigürasyonda tasarlanmış bu transistör, 40V drain-source gerilimi ve 240A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulan komponent, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 1.4mΩ (10V, 200A'de) düşük on-resistance değeri ile güç uygulamalarında ısı yönetimini optimize eder. 380W maksimum güç tüketimi kapasitesi sayesinde DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri, güç anahtarlama uygulamaları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanım için uygundur. Hızlı anahtarlama karakteristiği ve düşük gate charge değeri (180nC @ 4.5V) ile sürücü devre gereksinimleri minimize edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 240A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10990 pF @ 40 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 380W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4mOhm @ 200A, 10V
Supplier Device Package D2PAK (7-Lead)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok