Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRLR8729PBF

MOSFET N-CH 30V 58A D-PAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IRLR8729

IRLR8729PBF Hakkında

IRLR8729PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim ve 58A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. D-PAK (TO-252-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç yönetimi, anahtarlama devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde yer bulur. 8.9mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenli çalışır. Maksimum 55W güç dağıtımı kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 58A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.9mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package D-Pak
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok