Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRLR8503TRL

MOSFET N-CH 30V 44A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IRLR8503

IRLR8503TRL Hakkında

IRLR8503TRL, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel metal oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) olup, 30V drain-source gerilimi ve 44A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 16mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. Geniş -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. Güç dönüştürme uygulamaları, sürücü devreleri, anahtarlama regülatörleri ve yüksek akımlı anahtar uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 62W güç dağılımı yeteneğine sahip olan bileşen, 20nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 44A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1650 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package D-Pak
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok