Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRLR8503PBF
MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRLR8503
IRLR8503PBF Hakkında
IRLR8503PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 44A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paket ile PCB tasarımında kompakt çözüm sunar. 16mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. DC-DC dönüştürücüler, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve yük anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Hızlı anahtarlama karakteristiği ve düşük kapı yükü ile verimli devre tasarımı mümkün kılar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 44A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1650 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 62W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok