Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRLR8259TRPBF

MOSFET N-CH 25V 57A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IRLR8259

IRLR8259TRPBF Hakkında

IRLR8259TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 25V drain-source voltajında 57A sürekli drenaj akımı sağlayan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (8.7mΩ @ 10V) ile enerji verimliliği sunar. TO-252 (DPak) paketlemesi ile surface mount uygulamalarına uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, güç yönetimi, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10nC gate charge ve 900pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. 48W maksimum güç dağıtımı kapasitesi bulunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 57A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 13 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.7mOhm @ 21A, 10V
Supplier Device Package D-Pak
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok