Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRLR8259PBF
MOSFET N-CH 25V 57A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRLR8259
IRLR8259PBF Hakkında
IRLR8259PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source voltajında 57A sürekli drain akımı sağlayan bu bileşen, düşük on-state direnci (8.7mOhm @ 21A, 10V) ile verimli güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Surface mount DPAK (TO-252-3) paketinde sunulan transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışır. 4.5V ve 10V drive voltajlarında 10nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Şarj kontrol devreleri, DC-DC konvertörler, motor sürücüleri ve güç dağıtım uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Bileşen üretim sonlandırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 57A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 13 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.7mOhm @ 21A, 10V |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok