Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRLR8256TRPBF
MOSFET N-CH 25V 81A DPAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRLR8256
IRLR8256TRPBF Hakkında
IRLR8256TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 25V drain-source gerilimi ve 81A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. 5.7mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş kaybı sağlayan bu bileşen, güç yönetimi, motor sürücüleri, anahtarlama devrelerinde ve DC/DC dönüştürücülerinde yaygın olarak kullanılır. TO-252 (DPak) SMD paket formatında sunulan IRLR8256TRPBF, -55°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında çalışabilir ve 63W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 81A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1470 pF @ 13 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok